Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Корпус | SMT-2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 70 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Время спада | 2.3 us |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Упаковка | Bulk |
| Продукт | Phototransistors |
| Время нарастания | 2 us |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Длина волны | 880 nm |
| Максимальный темновой ток | 200 nA |
| Тип | IR Chip |