Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Корпус | T-1 3/4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
| Время спада | 10 us, 12 us |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Время нарастания | 10 us, 12 us |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Максимальный темновой ток | 200 nA |
| Тип | IR Chip |