Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное рассеяние мощности | 125 mW |
| Корпус | Metal Can |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Время спада | 15 us |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Продукт | Phototransistors |
| Время нарастания | 15 us |
| Длина волны | 880 nm |
| Тип | Photodetector Transistors |