Товары по каталогам

Название:   PT501A
Производитель:   Sharp Microelectronics
RoHS:   да
Описание:   Фототранзисторы PT501 with Ic bin 20-80mA

Заказать



Характеристики:
Максимальное рассеяние мощности75 mW
КорпусTO-18
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Время спада10 us
Максимальная рабочая температура+ 125 C
Минимальная рабочая температура- 25 C
Время нарастания10 us
Размер фабричной упаковки500
Максимальный темновой ток100 nA
ТипPhototransistor

Обратная связь
Оформление заявки