Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
Максимальное рассеяние мощности | 50 mW |
Корпус | T-1 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 35 V |
Время спада | 400 us |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Минимальная рабочая температура | - 25 C |
Время нарастания | 400 us |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Максимальный темновой ток | 1 uA |
Тип | Phototransistor |