Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Корпус | T-1 3/4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | Phototransistors |
| Длина волны | 890 nm |
| Максимальный темновой ток | 100 nA |
| Тип | NPN Silicon Phototransistors |