Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное рассеяние мощности | 75 mW |
| Корпус | 1206 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Время спада | 15 us |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 25 C |
| Упаковка | Reel |
| Продукт | Phototransistors |
| Время нарастания | 15 us |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Длина волны | 890 nm |
| Максимальный темновой ток | 100 nA |
| Тип | Silicon Phototransistor |