Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Корпус | SMD |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 35 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 35 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Время спада | 50 us |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 25 C |
| Упаковка | Reel |
| Время нарастания | 50 us |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Максимальный темновой ток | 200 nA |
| Тип | NPN Silicon Photo Darlington with Opaque Lens |