Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
Корпус | 3.5 mm x 2.8 mm x 1.9 mm |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
Время спада | 15 us |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Упаковка | Reel |
Продукт | Phototransistors |
Время нарастания | 15 us |
Размер фабричной упаковки | 1500 |
Длина волны | 940 nm |
Максимальный темновой ток | 100 nA |