Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Продукт | Avalanche Photodiodes |
| Обратное напряжение | 90 V |
| Пиковая длина волны | 800 nm |
| Время нарастания | 1 ns |
| Угол половинной интенсивности | 92 deg |
| Корпус | TO-52-S1 |
| Темновой ток | 4 nA |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Эквивалентная мощность шума (NEP) | 8E-14 W/sqrt Hz |
| Упаковка | Bulk |
| Фототок | 1 uA |
| Чувствительность | 50 A/W |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Максимальный темновой ток | 10 nA |
| Рассеяние мощности | 100 mW |