Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 50 % to 600 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.65 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 150 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | DIP-4 |
| Упаковка | Bulk |
| Максимальное обратное напряжение диода | 6 V |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Ток в прямом направлении | 60 mA |