| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 600 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.3 V |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | DIP-4 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальный входной ток диода | 60 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Максимальная длительность спада импульса | 3 us |
| Максимальное время нарастания | 2 us |
| Ток в прямом направлении | 25 mA |
