| Тип входа | AC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение изоляции | 3750 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 400 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.4 V |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Минимальная рабочая температура | - 50 C |
| Корпус | SOIC-6 |
| Упаковка | Bulk |
| Максимальный входной ток диода | 10 mA |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Тип выхода | DC |
| Максимальная длительность спада импульса | 9 us |
| Максимальное время нарастания | 5 us |
| Ток в прямом направлении | 16 mA |
