| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 5300 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 400 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.3 V |
| Максимальный коллекторный ток | 100 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 260 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | PDIP-6 |
| Упаковка | Bulk |
| Максимальный входной ток диода | 100 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 3 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Тип выхода | DC |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
