Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 30 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Максимальный коллекторный ток | 20 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 75 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | Side View |
| Количество каналов на чип | 2 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Максимальная длительность спада импульса | 15 us |
| Максимальное время нарастания | 15 us |