Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 20 % to 80 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.7 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | DIP-4 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальный входной ток диода | 100 mA |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Ток в прямом направлении | 100 mA |