| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 35 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 600 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.4 V |
| Максимальный коллекторный ток | 80 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 30 C |
| Корпус | DIP-4 |
| Максимальный входной ток диода | 50 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 6 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Photodarlington |
| Тип выхода | DC |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Максимальная длительность спада импульса | 250 us |
| Максимальное время нарастания | 300 us |
| Ток в прямом направлении | 20 mA |
