| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 350 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 600 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.3 V |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 30 C |
| Корпус | DIP-4 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальный входной ток диода | 50 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 6 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Тип выхода | DC |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Максимальная длительность спада импульса | 3 us |
| Максимальное время нарастания | 2 us |
