Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 35 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение изоляции | 10000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 350 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.6 V |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Упаковка | Bulk |
| Максимальный входной ток диода | 10 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 2 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Ток в прямом направлении | 10 mA |