| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 30 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 10000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 25 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.6 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Упаковка | Bulk |
| Максимальный входной ток диода | 40 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 2 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Тип выхода | DC |
| Ток в прямом направлении | 10 mA |
