| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 70 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 2500 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 200 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.5 V |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 145 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 25 C |
| Корпус | SOIC-8 Narrow |
| Упаковка | Bulk |
| Максимальный входной ток диода | 20 mA |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Тип выхода | DC |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
