| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 50 % to 600 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.4 V |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | DIP-4 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальный входной ток диода | 60 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 6 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Максимальная длительность спада импульса | 18 us |
| Максимальное время нарастания | 18 us |
| Ток в прямом направлении | 20 mA |
