| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 50 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 5900 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 0.8 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.5 V |
| Максимальный коллекторный ток | 100 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | PDIP-6 |
| Максимальный входной ток диода | 100 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Тип выхода | DC |
