| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 3000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 50 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.4 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | SO-8 |
| Упаковка | Reel |
| Максимальный входной ток диода | 5 mA |
| Количество каналов на чип | 2 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Максимальная длительность спада импульса | 3 us |
| Максимальное время нарастания | 2 us |
