| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 35 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение изоляции | 1000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 200 % |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.5 V |
| Максимальный коллекторный ток | 10 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Максимальный входной ток диода | 50 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 2 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Максимальная длительность спада импульса | 20 us |
| Максимальное время нарастания | 20 us |
| Ток в прямом направлении | 10 mA |
