| Максимальная скорость передачи | 10 MBps |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.8 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 40 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | SO-8 |
| Напряжение изоляции | 2500 Vrms |
| Максимальный непрерывный выходной ток | 25 mA |
| Максимальная длительность спада импульса | 5 ns |
| Максимальный прямой ток диода | 20 mA |
| Максимальное время нарастания | 20 ns |
| Минимальное прямое напряжение диода | 1.4 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Integrated Photo IC |
| Максимальный входной ток диода | 12.5 mA |
| Тип входа | DC |
