| Максимальная скорость передачи | 1 MBps |
| Максимальное прямое напряжение диода | 2.2 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | SO-8 |
| Упаковка | Bulk |
| Напряжение изоляции | 2500 Vrms |
| Максимальный непрерывный выходной ток | 8 mA |
| Максимальный прямой ток диода | 20 mA |
| Минимальное прямое напряжение диода | 1.7 V |
| Количество каналов на чип | 2 |
| Устройство вывода | Integrated Photo IC |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Коэффициент передачи по току | 40 % |
| Максимальный входной ток диода | 25 mA |
| Тип входа | DC |
