Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | DIP-8 |
| Упаковка | Tube |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Коэффициент передачи по току | 43 % |
| Максимальный входной ток диода | 25 mA |
| Тип входа | DC |