Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.7 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 35 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Корпус | DIP-8 |
| Упаковка | Tube |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Максимальная длительность спада импульса | 30 ns |
| Максимальное время нарастания | 30 ns |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Размер фабричной упаковки | 48 |
| Коэффициент передачи по току | 1800 % |
| Максимальный входной ток диода | 20 mA |
| Тип входа | DC |