| Максимальная скорость передачи | 100 KBps |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.7 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | SOIC-8 Narrow |
| Упаковка | Bulk |
| Напряжение изоляции | 2500 Vrms |
| Максимальный непрерывный выходной ток | 60 mA |
| Максимальная длительность спада импульса | 60 us |
| Максимальный прямой ток диода | 50 mA |
| Максимальное время нарастания | 25 us |
| Минимальное прямое напряжение диода | 1 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Photodarlington |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Коэффициент передачи по току | 5000 % |
| Максимальный входной ток диода | 20 mA |
| Тип входа | DC |
