| Максимальная скорость передачи | 10 MBps |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.75 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 85 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | Bulk |
| Напряжение изоляции | 3750 Vrms |
| Максимальный непрерывный выходной ток | 50 mA |
| Максимальная длительность спада импульса | 12 ns |
| Максимальный прямой ток диода | 50 mA |
| Максимальное время нарастания | 50 ns |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Logic Gate Photo IC |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Максимальный входной ток диода | 50 mA |
| Тип входа | DC |
