| Максимальная скорость передачи | 1 MBps |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.7 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | Bulk |
| Напряжение изоляции | 2500 Vrms |
| Максимальная длительность спада импульса | 0.8 us |
| Максимальное время нарастания | 0.8 us |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Коэффициент передачи по току | 27 % |
| Максимальный входной ток диода | 25 mA |
| Тип входа | DC |
