Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.6 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 1.8 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 100 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | PDIP-8 |
| Упаковка | Tube |
| Напряжение изоляции | 3750 Vrms |
| Минимальное прямое напряжение диода | 1.1 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Коэффициент передачи по току | 45 % |
| Максимальный входной ток диода | 12 mA |
| Тип входа | DC |