Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.8 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 295 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | DIP-8 |
| Упаковка | Bulk |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Максимальная длительность спада импульса | 55 ns |
| Максимальное время нарастания | 75 ns |
| Минимальное прямое напряжение диода | 1.2 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Максимальный входной ток диода | 25 mA |
| Тип входа | DC |