| Максимальная скорость передачи | 40 MBps |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.85 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 3 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальный непрерывный выходной ток | 25 mA |
| Максимальная длительность спада импульса | 10 ns |
| Максимальный прямой ток диода | 10 mA |
| Максимальное время нарастания | 15 ns |
| Минимальное прямое напряжение диода | 1 V |
| Количество каналов на чип | 2 |
| Устройство вывода | Logic Gate Photo IC |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
