Товары по каталогам

NE5517DR2
Название:   NE5517DR2
Производитель:   ON Semiconductor
Документация:   скачать
Описание:   Транскондуктивные усилители Transconductance

Заказать



Характеристики:
Количество каналов2
КорпусSOIC-16
Входное напряжение смещения5 mV
Напряжение питания - макс.44 V
Максимальная рабочая температура+ 70 C
Минимальная рабочая температура0 C
УпаковкаReel
Вид монтажаSMD/SMT
Размер фабричной упаковки2500
Полоса пропускания2 MHz
Ток питания2.6 mA
Диапазон входного напряжения (макс.)Positive Rail - 3 V
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.)80 dB

Обратная связь
Оформление заявки